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本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,采用分布式结构设计了一款工作在2～20 GHz的宽带低噪声放大器。在Cascode结构的基础上引入负阻抗......
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频（RF）性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该......
近年来,人们对空间探索工作的飞速开展,在空间辐射环境中运行的航天器也越来越多,对能长期工作于辐射、极低温等恶劣极端环境中的......
随着微波毫米波集成电路技术的进步,有源相控阵雷达技术也在不断的发展。T/R（Transmit/Receive）组件作为相控阵雷达中的关键部件,其......
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性, 选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760......
在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高......
大数据、物联网(IOT)、多媒体、云计算等应用的兴起,促使着人们对数据通信信息量的需求成指数级增长。这要求数据通信速率、距离、......
